一直以來(lái)，片式電阻器的封端技術(shù)沿用浸封方式進(jìn)行封端，質(zhì)量穩(wěn)定性不好，效率不高，材料成本高，生產(chǎn)成本明顯偏高，而產(chǎn)品價(jià)格的下降和原材料價(jià)格的上漲，大大削弱了片式電阻器的競(jìng)爭(zhēng)力。在成本壓力當(dāng)前，片阻的競(jìng)爭(zhēng)力何在？在激烈競(jìng)爭(zhēng)之中，片阻的出路何在？

一、全方位的賤金屬化

公司領(lǐng)導(dǎo)指出，當(dāng)前電子元件最重要的技術(shù)趨勢(shì)是微型化和超微型化，以及全方位的賤金屬化。在這樣的發(fā)展趨勢(shì)下，片式電阻器的技術(shù)發(fā)展也必然要圍繞這個(gè)重要的趨勢(shì)而尋找出路。真空濺射封端技術(shù)屬于真空濺射技術(shù)應(yīng)用于片阻領(lǐng)域，使端華公司技術(shù)創(chuàng)新呈現(xiàn)出來(lái)的一個(gè)新亮點(diǎn)，在片式電阻器的生產(chǎn)中扮演著舉足輕重的角色。

真空濺射封端技術(shù)是通過(guò)真空濺射把賤金屬材料附著在產(chǎn)品的端頭上，形成一層致密的導(dǎo)電薄膜，完成整個(gè)封端過(guò)程，取代了原來(lái)的貴金屬封端材料。如果說(shuō)鎳電極MLCC產(chǎn)品的成功是標(biāo)志著一場(chǎng)電子行業(yè)中以賤金屬代替貴金屬技術(shù)革命的開(kāi)始，那么真空濺射技術(shù)應(yīng)用于片阻的成功則宣告了在競(jìng)爭(zhēng)領(lǐng)域中全方位賤金屬化技術(shù)創(chuàng)新的全面開(kāi)展。

應(yīng)用真空濺射封端技術(shù)降成本最顯著的地方分別為有賤金屬代替貴金屬和膜層厚度非常薄。隨著產(chǎn)品不斷的向小型化發(fā)展，現(xiàn)有的傳統(tǒng)浸封封端工藝已很難生產(chǎn)比0402產(chǎn)品還小的產(chǎn)品，甚至基本不能生產(chǎn)。真空濺射封端技術(shù)是專(zhuān)長(zhǎng)于小型化的元件，比0402還小的產(chǎn)品也能較好的生產(chǎn)。這正是電子元件微型化和賤金屬化的重要技術(shù)保障之一。

二、千方百計(jì)降成本

由于現(xiàn)在的電子行業(yè)競(jìng)爭(zhēng)越來(lái)越激烈,產(chǎn)品的質(zhì)量都相差不大,價(jià)格競(jìng)爭(zhēng)成為了競(jìng)爭(zhēng)的焦點(diǎn)。誰(shuí)的成本低，賣(mài)價(jià)低,在市場(chǎng)就有立足之地。

真空濺射封端工藝比傳統(tǒng)的浸封工藝質(zhì)量好、效率高、成本低、更適應(yīng)小規(guī)格（0402及以下尺寸）片阻的生產(chǎn)。由于所用材料是較便宜的Ni—Cr合金，其成本明顯比原來(lái)浸封方式用的Ag漿材料低。

真空濺射封端的生產(chǎn)成本低，符合發(fā)展的潮流，可以繼續(xù)保持我公司在市場(chǎng)上的競(jìng)爭(zhēng)力。應(yīng)用該技術(shù)，生產(chǎn)流程更加優(yōu)化，濺射后直接可以電鍍，減少了封端后的固化、燒結(jié)環(huán)節(jié)，既節(jié)省了燒結(jié)設(shè)備，也節(jié)省了人力、物力和電力。使用的Ni-Cr材料，不會(huì)引起環(huán)境的危害。因?yàn)橛谜婵諡R射方法鍍膜不會(huì)產(chǎn)生六價(jià)Cr離子。符合歐盟WEEE和R0HS標(biāo)準(zhǔn)。

根據(jù)新技術(shù)與傳統(tǒng)工藝的成本對(duì)比分析可知，如果把真空濺射技術(shù)推廣到所有的片式電阻產(chǎn)品，則按每年可做約360億只算，每年可節(jié)約500多萬(wàn)。而且假如貴金屬材料進(jìn)一步漲價(jià)，其成本優(yōu)勢(shì)更加明顯，節(jié)約金額還會(huì)不斷的上升。

三、與國(guó)際水平接軌

目前國(guó)際上很多片阻廠(chǎng)家已在大規(guī)模使用真空濺射封端工藝。特別是臺(tái)灣同行大規(guī)模采用了真空濺射技術(shù)封端。當(dāng)前，真空濺射封端技術(shù)在端華公司主要應(yīng)用在0402產(chǎn)品的封端生產(chǎn)上。并已經(jīng)開(kāi)始向0603、0805等產(chǎn)品進(jìn)行推廣。

真空濺射技術(shù)的優(yōu)點(diǎn)是成本低,專(zhuān)長(zhǎng)是生產(chǎn)小規(guī)格的產(chǎn)品而且與薄膜技術(shù)有相似之處。為未來(lái)開(kāi)發(fā)更小型的電阻產(chǎn)品打下堅(jiān)實(shí)的基礎(chǔ)，也為薄膜產(chǎn)品的開(kāi)發(fā)制造了可能。

在國(guó)際上已經(jīng)大規(guī)模地推行真空濺射封端工藝的今天，我們只要早一天全面用真空濺射工藝替代浸封工藝，就早一天與國(guó)際水平接軌，使得我們的產(chǎn)品無(wú)論在產(chǎn)品的質(zhì)量上還是在成本上都保持具有與國(guó)際競(jìng)爭(zhēng)的優(yōu)勢(shì)。目前我司對(duì)真空濺射工藝已趨于成熟，有大規(guī)模推行真空濺射工藝的技術(shù)積累，可以迅速形成大規(guī)模的生產(chǎn)能力，徹底替代落后的浸封工藝。