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風華高科獲得首件日本授權專利

近期,風華高科下屬分公司電子工程開發(fā)分公司的《ニッケル內電極と整合されるセラミック媒體材料及びそれによって得られたコンデンサの製備方法》獲得日本特許廳授權的日本專利(中文譯名:一種與鎳內電極匹配的陶瓷介質材料及所得電容器的制備方法;發(fā)明人名單:宋蓓蓓、宋永生、莫方策、任海東、王孝國、郭精華等)。

該專利公開了一種與鎳內電極匹配的陶瓷介質材料及所得電容器的制備方法,該陶瓷介質材料由主晶相、改性添加劑、燒結助熔劑組成,主晶相為MgZrxSi(1-x)O3,其中0.05x0.15,改性添加劑是MnO2、Al2O3、CaO、Bi2O3TiO2中的一種或幾種,燒結助熔劑是B2O3、SiO2ZnO、Li2O、K2O、BaO中的一種或幾種。上述陶瓷介質材料滿足EIA標準中C0G特性,且材料均一、粒度分布均勻、分散性高、成型工藝好、符合環(huán)保要求,介電特性優(yōu)良。用該材料制作多層片式陶瓷電容器產品時,可與鎳電極匹配,在還原氣氛下燒結,燒后瓷體晶粒生長均勻、致密,介質層與內電極匹配良好,產品性能穩(wěn)定,達到國際先進水平,具備良好的全球市場前景。  

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