項目名稱

高導(dǎo)互聯(lián)印刷材料及其大面積顯示應(yīng)用

主要完成單位

華南理工大學(xué)

廣東風(fēng)華高新科技股份有限公司

TCL華星光電技術(shù)有限公司

華南師范大學(xué)

廣東聚華印刷顯示技術(shù)有限公司

主要完成人

（職稱、完成單位、工作單位）

1.寧洪龍（研究員、華南理工大學(xué)、華南理工大學(xué)，項目總負(fù)責(zé)人，負(fù)責(zé)項目的總體策劃、關(guān)鍵技術(shù)指導(dǎo)、實施、協(xié)調(diào)。本人對本項目《主要技術(shù)發(fā)明》中所列的第1、2、3項技術(shù)發(fā)明作出貢獻，是這幾項技術(shù)發(fā)明的總體策劃人。）

2.吳海斌（高級工程師、廣東風(fēng)華高新科技股份有限公司、廣東風(fēng)華高新科技股份有限公司，主要負(fù)責(zé)項目電極材料的策劃和技術(shù)指導(dǎo)，參與主要技術(shù)發(fā)明1、2的開發(fā)，對項目所列的1、2項技術(shù)發(fā)明做出貢獻。）

3.姚日暉（副教授、華南理工大學(xué)、華南理工大學(xué)，參與項目的策劃和實施。負(fù)責(zé)印刷電極墨水的開發(fā)。對項目所列的2、3項技術(shù)發(fā)明做出貢獻。）

4.付東（高級工程師、廣東聚華印刷顯示技術(shù)有限公司、廣東聚華印刷顯示技術(shù)有限公司，負(fù)責(zé)項目印刷銀電極部分的策劃和實施。系統(tǒng)性地研究了印刷銀電極的打印工藝，干燥工藝及烘烤工藝。參與項目工作時間占本人工作量的40%。對項目所列的第3項技術(shù)發(fā)明做出貢獻。）

5.趙斌（高級工程師、TCL華星光電技術(shù)有限公司、TCL華星光電技術(shù)有限公司，參與高性能a-IGZO薄膜晶體管的開發(fā)。重點研究印刷電極和半導(dǎo)體接觸特性，并進行界面改性。對項目所列的第3項技術(shù)發(fā)明做出貢獻。）

6．陶瑞強（未取得、華南師范大學(xué)、華南理工大學(xué)，參與項目調(diào)研、研發(fā)、文案撰寫，參與印刷高導(dǎo)互聯(lián)高精度圖形化膜層制備與機制分析，對項目所列的第3項技術(shù)發(fā)明做出貢獻。）

7.余磊（未取得、廣東聚華印刷顯示技術(shù)有限公司、廣東聚華印刷顯示技術(shù)有限公司，負(fù)責(zé)項目印刷銀電極部分實施和分析測試。并對印刷銀電極在印刷OLED的應(yīng)用做了系統(tǒng)性預(yù)研，包括優(yōu)化印刷銀電極的薄膜厚度及均勻性，方塊電阻，表面粗糙度等。參與項目工作時間占本人工作量的40%。對項目所列的第3項技術(shù)發(fā)明做出貢獻。）

8.章勇（教授、華南師范大學(xué)、華南師范大學(xué)，參與高導(dǎo)互聯(lián)燒結(jié)技術(shù)研究，提出了銀納米粒子與乙酸銀、乙醇和乙二醇等混合形成銀鹽/銀納米粒子的復(fù)合墨水，實現(xiàn)了低溫快速燒結(jié)的印刷電路方法；此外，提出了熱燒結(jié)與電流焦耳熱燒結(jié)相結(jié)合的印刷電極燒結(jié)方法。對項目所列的第3項技術(shù)發(fā)明做出貢獻。）

9.陳建秋（未取得、華南理工大學(xué)、華南理工大學(xué)，參與項目調(diào)研、研發(fā)，器件的分析測試等工作，參與了高性能金屬氧化物TFT器件單元及其陣列制備，對項目所列的第3項技術(shù)發(fā)明做出貢獻。）

10.羅文忠（工程師、廣東風(fēng)華高新科技股份有限公司、廣東風(fēng)華高新科技股份有限公司，負(fù)責(zé)項目主要技術(shù)發(fā)明2實施中的工藝及生產(chǎn)管理，解決了銀粒尺寸和形貌控制問題，參與項目工作時間占本人工作量的40%。對主要技術(shù)發(fā)明2做出貢獻。）

11.陸旭兵（教授、華南師范大學(xué)、華南師范大學(xué)，參與項目器件結(jié)構(gòu)與材料的策劃與實施，參與印刷高導(dǎo)互聯(lián)器件單元介電層的膜層制備與界面修飾。對項目所列的第3項技術(shù)發(fā)明做出貢獻。）

12.尚小東（高級工程師、廣東風(fēng)華高新科技股份有限公司、廣東風(fēng)華高新科技股份有限公司，負(fù)責(zé)項目納米銀粉部分的策劃和實施。負(fù)責(zé)印刷電極納米銀粉的表面修飾與改性應(yīng)用，創(chuàng)新性提出銀粉吸附分散，脫附改性的制備方法。參與項目工作時間占本人工作量的40%。對項目所列的第2項技術(shù)發(fā)明做出貢獻。）

13.王磊（副研究員、華南理工大學(xué)、華南理工大學(xué)，參與了高穩(wěn)定性的金屬氧化物半導(dǎo)體靶材，并使用該靶材開發(fā)了底柵極背溝道刻蝕，底柵極刻蝕阻擋，頂柵極多種結(jié)構(gòu)的薄膜晶體管，為本項目印刷銀電極在薄膜晶體管中的應(yīng)用提供了基礎(chǔ)，對項目所列的第3項技術(shù)發(fā)明做出貢獻。）

14.徐苗（高級工程師、華南理工大學(xué)、華南理工大學(xué)，參與了印刷銀電極薄膜晶體管面向大面積顯示應(yīng)用的器件測試及驗證，對項目所列的第3項技術(shù)發(fā)明做出貢獻。）

15.彭俊彪（教授、華南理工大學(xué)、華南理工大學(xué)，負(fù)責(zé)高精度印刷電極圖形化技術(shù)的策劃和開發(fā)，突破傳統(tǒng)打印方式限制，獲得2.4μm短溝道，對項目所列的第3項技術(shù)發(fā)明做出貢獻。）

代表性論文

專著目錄

論文1：<Direct patterning of silver electrodes with 2.4μm channel length by piezoelectric inkjet printing >

論文2：<Reduced contact resistance of a-IGZO thin film transistors with inkjet-printed silver electrodes >

論文3：<Gel-switchable droplet front for large-scale uniformity of inkjet printed silver patterns >

論文4：<A novel point-to-point interface protocol for thin film transistor-liquid >

專著1：<印刷顯示材料與技術(shù)>

知識產(chǎn)權(quán)名稱

專利1：<一種納米銀粉、其制備方法及應(yīng)用>(ZL201710789625.4)

專利2：<銀電極漿料>(ZL201310357268.6)

專利3：<一種薄膜晶體管印刷電極的制備方法>(ZL201610665741.0)

專利4：<一種噴墨打印薄膜與基板界面觀測與調(diào)控的方法>(ZL201710512228.2)

專利5：<一種直接噴墨打印短溝道電極的方法>(ZL201711269969.9)

專利6：<一種紫外光調(diào)控噴墨打印金屬線邊緣雜散顆粒的方法>(ZL201710512247.5)

專利7：<一種單分散性的銀納米立方及其制備方法及其導(dǎo)電油墨>(ZL201510396198.4)

專利8：<電荷產(chǎn)生層、電致發(fā)光器件及其制備方法>(ZL201710661330.9)

標(biāo)準(zhǔn)1：<電子元器件用材料金屬粉>(Q/FH-GK11-2017)

標(biāo)準(zhǔn)2：<電子元器件用材料電子漿料>(Q/FH-GK10-2017)